Трехслойный датчик изображения от Sony для камер смартфонов

Что ни день, то новая революция в мире мобильной фотографии. То Qualcomm норовит улучшить lossless-качество при работе с зумом, то Sony представит трехслойный CMOS датчик изображения со встроенной памятью DRAM. Именно этот третий DRAM компонент сделает доступной фотосъемку быстродвижущихся объектов и видеосъемку с кадровой частотой до 1000 кадров в секунду в разрешении Full HD.

Новый чип по своему устройству напоминает традиционные двухслойные датчики с обратной засветкой, состоящие из верхнего датчика со светочувствительным элементом и нижнего датчика - слоя с цепями обработки сигнала. С той лишь разницей, что теперь появился третий, промежуточный, слой — кристалл памяти DRAM.

Именно он повышает быстродействие всего датчика. К примеру, такая схема обеспечивает увеличившуюся в четыре раза скорость считывания (изображение с разрешением 19,3 Мп передается всего за 1/120 с). Уменьшение времени считывания каждой строки пикселей сильно уменьшит так называемый "эффект желе", проявляющийся при съемке быстродвижущихся объектов.

Пока рано говорить о сроках появления трехслойных сенсоров в готовых товарных продуктах, но будем надеяться, что съемка slow motion видео, подобного этому, станет скорой реальностью для обладателей смартфонов.